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[期刊论文] 作者:HOWARDR.HUFF PETERM.ZEITZOFF I,
来源:中国集成电路 年份:2005
绝缘体上硅(SOI,silicon-on-insillator)作为CMOS的改进技术.于1978年被推出,这种技术能够提高器件速度、降低功耗、减小软误差、抗锁定、减化制造工艺,以及减小器件尺寸。SOI材料...
[期刊论文] 作者:HOWARDR.HUFF,PETERM.ZEITZOFF,竟成,
来源:中国集成电路 年份:2005
绝缘体上硅(SOI,silicon-on-insulator)作为CMOS的改进技术,于1978年被推出,这种技术能够提高器件速度、降低功耗、减小软误差、抗锁定、减化制造工艺,以及减小器件尺寸。SOI...
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