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Effects of Dahuang （Rhubarb） Retention Enema on Leukocyte Inter-leukin-6, High Sentive C Reactive Pr
[期刊论文] 作者：Lei LU,Haibo YIN,
来源：药用植物：英文版 年份：2018
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[期刊论文] 作者：Jin Haibo,Yin Li,,
来源：学术界 年份：2014
Cultures of different nations vary,so do cultures at different regions,and they have both differences and similarities. In the multi-cultural era,cultural diffe...
[期刊论文] 作者：Jin Haibo,Yin Li,
来源：学术界 年份：2020
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Cloning and functional characterization of metallothionein gene from Spartina alternifloraitalic loi
[会议论文] 作者：Shihua Chen,Weihong Dou,Huiling Han,Haibo Yin,Shanli Guo,
来源：第十三届全国植物基因组学大会 年份：2012
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Comparative study on chemical compositions of three authentic Geranium and their anti-inflammatory e
[会议论文] 作者：Haibo Yin,Bo Cao,Xiaoxia Chen,Siyou Chen,Ling Tao,Xiaoqing Jia,
来源：2016首届中国中药资源大会暨CSNR中药及天然药物资源研究专业委员会第十二届学术年会 年份：2016
Background: Chinese Pharmacopoeia stipulates three authentic Geranium including Geranium wilfordii Maxim., Erodium stephanianum Willd.and Geranium carolinianum L..Their main chemical ingredients are f...
[期刊论文] 作者：Lan Bi,Yixu Yao,Qimeng Jiang,Sen Huang,Xinhua Wang,Hao Jin,Xinyue Dai,Zhengyuan Xu,Jie Fan,Haibo Yin,,
来源：半导体学报（英文版） 年份：2022
Parasitic capacitances associated with overhangs of the T-shape-gate enhancement-mode(E-mode)GaN-based power device,were investigated by frequency/voltage-dependent capacitance-voltage and inductive-load switching measure-ments.The overhang......
Low-thermal-budget Au-free ohmic contact to an ultrathin barrier AlGaN/GaN heterostructure utilizing
[期刊论文] 作者：Wen Shi,Sen Huang,Xinhua Wang,Qimeng Jiang,Yixu Yao,Lan Bi,Yuchen Li,Kexin Deng,Jie Fan,Haibo Yin,Ke,
来源：半导体学报:英文版 年份：2021
A pre-ohmic micro-patterned recess process,is utilized to fabricate Ti/Al/Ti/TiN ohmic contact to an ultrathin-barrier(UTB)AlGaN/GaN heterostructure,featuring a significantly reduced ohmic contact resistivity of 0.56Ω·mm at an alloy tempe......
[会议论文] 作者：万晓佳,肖红领,王翠梅,冯春,姜丽娟,殷海波,陈竑,Xiaojia Wan,Hongling Xiao,Cuimei Wang,Chun Feng,Lijuan Jiang,Haibo Yin,Hong,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
逆E类功放的工作状态可以用一系列方程来描述。本文推导出了在占空比为50％时，逆E类功放在非最优条件下，即只满足零电流关断(ZCS)条件时的描述设计的方程。给出的结果可以用......
[会议论文] 作者：渠慎奇,Shenqi Qu,Xiaoliang Wang,王晓亮,Hongling Xiao,肖红领,Cuimei Wang,王翠梅,Lijuan Jiang,姜丽娟,Chun Feng,冯春,Haibo Yin,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文通过一维Poisson-Schrōdinger自洽求解，计算了AlGaN/AlN/AlGaN/GaN异质结导带结构和电子气的分布。研究了AlGaN渐变沟道层对能带结构和电子气分布的影响，并对不同条件下电子在不同子带上的分布进行了计算与分析。从计算结果可以看出增大AlGaN渐变层的A1组分......
[会议论文] 作者：彭恩超,Enchao Peng,Xiaoliang Wang,王晓亮,Hongling Xiao,肖红领,Cuimei Wang,王翠梅,Chun Feng,冯春,Lijuan Jiang,姜丽娟,Haibo Yin,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程模拟计算了AlGaN/AlN/GaN/AlN/AlGaN双异质HEHT结构。采用AlGaN缓冲层代替传统的GaN缓冲层，有效地消除了传统AlGaN/AlN/GaN/AlN/GaN双沟道结构中的第二导电沟道，同时又保持了主沟道中2DEG良好的限制能力。研究了该结构的能带和电......
[会议论文] 作者：万晓佳,Xiaojia Wan,Xiaoliang Wang,王晓亮,Hongling Xiao,肖红领,Cuimei Wang,王翠梅,Chun Feng,冯春,Lijuan Jiang,姜丽娟,Haibo Yin,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
逆E类功放的工作状态可以用一系列方程来描述。本文推导出了在占空比为50％时，逆E类功放在非最优条件下，即只满足零电流关断(ZCS)条件时的描述设计的方程。给出的结果可以用来设计工作在非最优条件的下的逆E类功放。文章还给出了工作在非最优情况下的逆E类功放的设......
[会议论文] 作者：刘宏新,姜丽娟,陈竑,殷海波,Chun Feng,Hongling Xiao,Cuimei Wang,Jianping Li,Hongxin Liu,Lijuan Jiang,Hong Chen,Haibo Yin,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用MOCVD技术在SiC衬底上生长了GaN基外延材料，并研究了衬底弯曲度与外延弯曲度的关系，结果表明GaN外延材料弯曲度随着SiC衬底弯曲度的增大而增大。利用弹性动力学模型，计...
[会议论文] 作者：,Hongling Xiao,肖红领,Cuimei Wang,王翠梅,Jianping Li,李建平,Hongxin Liu,刘宏新,Lijuan Jiang,姜丽娟,Hong Chen,陈竑,Haibo Yin,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用MOCVD技术在SiC衬底上生长了GaN基外延材料，并研究了衬底弯曲度与外延弯曲度的关系，结果表明GaN外延材料弯曲度随着SiC衬底弯曲度的增大而增大。利用弹性动力学模型，计算了外延不同GaN层厚度时通过外延所引入的弯曲度，以及不同SiC衬底厚度与外延片弯曲度之间的......
[会议论文] 作者：,王翠梅,冯春,姜丽娟,陈竑,殷海波,李建平,刘宏新,Liang Jing,Hongling Xiao,Cuimei Wang,Chun Feng,Lijuan Jiang,Hong Chen,Haibo Yin,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
用金属有机物化学气相沉积技术在平面和图形蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构，并制作了电池原型器件。XRD摇摆曲线结果显示，图形衬底上GaN (102)面半峰...
[会议论文] 作者：,Hongling Xiao,肖红领,Xiaoliang Wang,王晓亮,Cuimei Wang,王翠梅,Chun Feng,冯春,Lijuan Jiang,姜丽娟,Hong Chen,陈竑,Haibo Yin,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
用金属有机物化学气相沉积技术在平面和图形蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构，并制作了电池原型器件。XRD摇摆曲线结果显示，图形衬底上GaN (102)面半峰...
[会议论文] 作者：王翠梅,Cuimei Wang,Xiaoliang Wang,王晓亮,Yang Bi,毕杨,Hongling Xiao,肖红领,Chun Feng,冯春,Lijuan Jiang,姜丽娟,Haibo Yin,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
In组分为17％的InAlN/GaN HEMT晶格匹配，自发极化较强，非常适于高频毫米波功率器件的制备，是近几年的国际研究热点之一。本文对InAlN/AlN/GaN HEMT结构进行理论分析，在材料生长、测试分析、器件研制等方面开展了一系列研究工作。......
[会议论文] 作者：康贺,肖红领,王翠梅,姜丽娟,冯春,殷海波,陈竑,林德峰,李建平,刘宏新,He Kang,Hongling Xiao,Cuimei Wang,Lijuan Jiang,Chun Feng,Haibo Yin,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用金属有机化学气相沉淀设备外延生长了AlGaN/GaN异质结构材料,基于其研制出GaN基肖特基平面二极管。测量结果显示,室温下器件的反向击穿电压达大于1100V,反向偏压1100...
[会议论文] 作者：,Qingwen Deng,Xiaoliang Wang,王晓亮,Hongling Xiao,肖红领,王翠梅,Cuimei Wang,姜丽娟,Lijuan Jiang,Chun Feng,冯春,Haibo Yin,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
在(0001)单面抛光蓝宝石衬底上,用MOCVD外延生长了n-GaN/GaN-InGaN MQWs/p-aN结构材料,并研制出了太阳能电池原型器件,25℃-AMl.5光谱辐照下电池转换效率为0.25％.较低的转...
[会议论文] 作者：Lin,Xiaoliang Wang,王晓亮,Hongling Xiao,肖红领,王翠梅,Cuimei Wang,康贺,He Kang,Lijuan Jiang,姜丽娟,Chun Feng,冯春,Haibo Yin,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
基于AlGaN/GaN异质结构材料,制备了击穿电压为1050V,特征通态电阻为4.0 mncm2的电力电子器件。研究了不同场板长度对器件电学性能的影响,发现场板长度对器件的直流特性和特征通态电阻影响较小,对器件的击穿电压影响较大。通过优化场板长度,获得了击穿电压为l050......
[会议论文] 作者：康贺,He Kang,Xiaoliang Wang,王晓亮,Hongling Xiao,肖红领,王翠梅,Cuimei Wang,姜丽娟,Lijuan Jiang,Chun Feng,冯春,Haibo Yin,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用金属有机化学气相沉淀设备外延生长了AlGaN/GaN异质结构材料,基于其研制出GaN基肖特基平面二极管。测量结果显示,室温下器件的反向击穿电压达大于1100V,反向偏压1100V时器件的反向漏电流低于30nA；计算得出器件的比导通电阻为9mΩ·cm2；外加正向偏压2V时器件的......
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