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[期刊论文] 作者：J.E.Schroeder,郭树田,
来源：微电子学 年份：1986
本文介绍了为提高抗辐照性能所制作的600门EPI-CMOS阵列的辐照试验结果。该阵列是标准CMOS门阵列系列之一,它与非加固产品的掩模和软件具有兼容性。在剂量达到10~5拉德-硅时,...
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