【摘 要】
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本文介绍了为提高抗辐照性能所制作的600门EPI-CMOS阵列的辐照试验结果。该阵列是标准CMOS门阵列系列之一,它与非加固产品的掩模和软件具有兼容性。在剂量达到10~5拉德-硅时,
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本文介绍了为提高抗辐照性能所制作的600门EPI-CMOS阵列的辐照试验结果。该阵列是标准CMOS门阵列系列之一,它与非加固产品的掩模和软件具有兼容性。在剂量达到10~5拉德-硅时,只观测到少数性能退化,在剂量大于10~6拉德-硅时,所试验的所有宏观系统仍能正常工作。在10~(11)拉德/秒下的剂量率试验,没有出现闭锁,D型触发器在最坏条件下的扰动大约在5×10~8拉德/秒时产生。
This article describes the results of the irradiation experiments of 600 EPI-CMOS arrays made to improve the anti-radiation performance. The array is one of a family of standard CMOS gate arrays that is compatible with masks and software for non-reinforced products. Only a small amount of degradation was observed at doses of 10-5 Rads-Si, and all macroscopic systems tested were still functional at doses greater than 10-6 Rad-Si. At a dose rate of 10 to 11 rad / sec, no latchup occurred and the worst case D-type trigger perturbations occurred at about 5 x 10 ~ 8 rad / sec.
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