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InP/GaP晶格失配界面的电特性(英文)
[期刊论文] 作者：李果华,孙艳宁,Aristo Yulius,Christine C.Broadbridge,Jerry M.Woodall,, 来源：人工晶体学报 年份：2007
本文研究了InP/GaP晶格失配界面的电特性。HRTEM图象表明在界面存在90°位错缺陷的应变缓释。ECV表明界面存在高密度载流子层。AFM图象表明本研究中获得了粗糙度为2.48nm的良...
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