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[期刊论文] 作者：K. Heime,汤西英,,
来源：半导体情报 年份：1985
如果沟道厚度α不按照L/α》1的公式减薄,FET的栅长L缩短到亚微米范围就会引起负短沟道效应。为保持阈值电压不变,必须增加沟道掺杂浓度N_D～1/α~2。本文通过数值模拟和实验表...
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