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[期刊论文] 作者：Karl Yang,李庆文,
来源：微电子学 年份：1985
用常规工艺技术已研制成功一种存储电容器几乎占用了全部单元面积的DRAM单元。因此我们发现,即使用300A的介质材料,该存储电容也能改进以前报导过的256k DRAM存储单元的结果...
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