搜索筛选:
搜索耗时0.0993秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 11 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：Xiao-Lin Lin,Dong-Sheng Zhang,Zhi-Ye Ju,Xiu-Ming Li,Yao-Zhu Zhang,
来源：世界临床病例杂志 年份：2021
BACKGROUND Endometrial lesions include endometrial cancer and inferior fibroids.Among them,endometrial cancer as a malignant tumor seriously endangers the life and health of patients.Ultrasonography is an important means of diagnosing femal......
[期刊论文] 作者：Zhang Ke-Ying,Guo Hong-Xia,Luo Yin-Hong,Fan Ru-Yu,Chen Wei,Lin Dong-Sheng,Guo Gang,Yan Yi-Hua,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2011
...
[期刊论文] 作者：Jin Xiao-Ming,Fan Ru-Yu,Chen Wei,Lin Dong-Sheng,Yang Shan-Chao,Bai Xiao-Yan,Liu Yan,Guo Xiao-Qiang,Wang,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2010
...
,Study on the dose rate upset effect of partially depleted silicon-on-insulator static random access
[期刊论文] 作者：Fa-Zhan,Liu Meng-Xin,Guo Tian-Lei,Liu Gang,Hai Chao-He,Han Zheng-Sheng,Yang Shan-Chao,Li Rui-Bin,Lin Dong-Sheng,
来源：中国物理B(英文版) 年份：2008
This paper implements the study on the Dose Rate Upset effect of PDSOI SRAM (Partially Depleted SiliconOn-Insulator Static Random Access Memory) with the Qiangg...
[会议论文] 作者：QI Chao,LIN Dong-sheng,CHEN Wei,YANG Shan-chao,WANG Gui-zhen,GONG Jian-cheng,齐超,林东生,陈伟,杨善潮,王桂珍,龚建成,
来源：第八届(2012)北京核学会核应用技术学术交流会 年份：2012
介绍了瞬时电离辐射环境中SRAM型FPGA配置存储器测试的实现方法，提出了将辐射回避应用于FPGA瞬时电离辐射效应测试的方法，设计了可辐射回避的在线测试系统，并对FPGA进行了瞬......
[会议论文] 作者：QI Chao,齐超,LIN Dong-sheng,林东生,CHEN Wei,陈伟,YANG Shan-chao,杨善潮,WANG Gui-zhen,王桂珍,GONG Jian-cheng,龚建成,
来源：第八届(2012)北京核学会核应用技术学术交流会 年份：2012
介绍了瞬时电离辐射环境中SRAM型FPGA配置存储器测试的实现方法，提出了将辐射回避应用于FPGA瞬时电离辐射效应测试的方法，设计了可辐射回避的在线测试系统，并对FPGA进行了瞬时电离辐射效应实验。结果表明，测试系统能准确、可靠地进行配置存储器测试，辐射回避是实现大......
[会议论文] 作者：YANG Shan-chao,MA Qiang,JIN Xiao-ming,LI Rui-bin,LIN Dong-sheng,CHEN Wei,LIU Yan,杨善潮,马强,金晓明,李瑞宾,林东生,陈伟,
来源：第八届(2012)北京核学会核应用技术学术交流会 年份：2012
本文以建立的EE80C196KC20型单片机运行系统为研究对象，在“强光一号”加速器上，对系统中的LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐射效应实验研究，获得了单...
[会议论文] 作者：YANG Shan-chao,杨善潮,MA Qiang,马强,JIN Xiao-ming,金晓明,LI Rui-bin,李瑞宾,LIN Dong-sheng,林东生,CHEN Wei,陈伟,LIU Yan,
来源：第八届(2012)北京核学会核应用技术学术交流会 年份：2012
本文以建立的EE80C196KC20型单片机运行系统为研究对象，在“强光一号”加速器上，对系统中的LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐射效应实验研究，获得了单片机的闩锁阈值，得到了功耗电流、I/O输出随剂量率的变化规律，从实验上证实了电源芯片对单片......
[会议论文] 作者：JIN Xiao-ming,金晓明,WANG Yuan-ming,王园明,YANG Shan-chao,杨善潮,MA Qiang,马强,LIU Yan,刘岩,LIN Dong-sheng,林东生,CHEN,
来源：第八届(2012)北京核学会核应用技术学术交流会 年份：2012
中子辐射效应是半导体器件在辐射环境中损伤的重要因素。本文建立了中子在半导体材料中的电离和非电离能量沉积、原子空位密度的Geant4模拟方法。电离能量沉积可用于分析电离总剂量效应，非电离能量沉积可用于分析位移损伤效应。电离kerma因子的模拟结果定量解释......
[会议论文] 作者：MA Qiang,LIN Dong-sheng,JIN Xiao-ming,CHEN Wei,YANG Shan-chao,LI Rui-bin,QI Chao,WANG Gui-zhen,马强,林东生,
来源：第八届(2012)北京核学会核应用技术学术交流会 年份：2012
利用正交设计法设计了实验方案，可通过较少的实验获得满意的实验结果。在“强光一号”上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬时电离辐射效应实验，研究了不同因素对CA3140...
[会议论文] 作者：MA Qiang,马强,林东生,LIN Dong-sheng,JIN Xiao-ming,金晓明,CHEN Wei,陈伟,YANG Shan-chao,杨善潮,LI Rui-bin,李瑞宾,齐超,QI,
来源：第八届(2012)北京核学会核应用技术学术交流会 年份：2012
利用正交设计法设计了实验方案，可通过较少的实验获得满意的实验结果。在“强光一号”上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬时电离辐射效应实验，研究了不同因素对CA3140输出端瞬时电离辐射扰动恢复时间的影响，得到不同因素对恢复时间产生影响的主次顺序和显著水......
相关搜索：
