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[期刊论文] 作者：Niklas Wadefalk,Emmanuil Choumas,Anders Mellberg,Iltcho Angelov,Erik Kollberg,Niklas Rorsman,Piotr Starski,
来源：电子元器件资讯 年份：2009
InP基高电子迁移率晶体管(HEMTs)具有极其优秀的低噪声性能和更佳的高频性能[1-4].由于在InGaAs层中载流子的迁移率和电流都很高,所以漏源极电压能够保持低电位.HEMT技术在低...
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