【摘 要】
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InP基高电子迁移率晶体管(HEMTs)具有极其优秀的低噪声性能和更佳的高频性能[1-4].由于在InGaAs层中载流子的迁移率和电流都很高,所以漏源极电压能够保持低电位.HEMT技术在低
【机 构】
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加利福尼亚科学研究院电气工程学院瑞典查尔姆斯理工大学微电子学院;优利讯贸易股份公司;
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InP基高电子迁移率晶体管(HEMTs)具有极其优秀的低噪声性能和更佳的高频性能[1-4].由于在InGaAs层中载流子的迁移率和电流都很高,所以漏源极电压能够保持低电位.HEMT技术在低温时也并没有遭遇排斥.在InGaAs层中,掺杂物的游离能很低,电子存在于高能带隙材料的施主能级下的能量量子阱中.因此,对于高增益的微波运转,即便在低温条件下也能得到充足的载流子浓度.
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