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[期刊论文] 作者：卢殿通,P.L.F.Hemment,
来源：半导体学报 年份：2000
报道了 SOI材料薄膜厚度的非破坏性快速测量方法 ,详细地研究了 SIMOX材料的红外吸收光谱特性 ,求出了特征峰对应的吸收系数 .提出利用红外吸收光谱测量 SIMOX绝缘埋层厚度的...
[期刊论文] 作者：卢殿通,P.L.F.Hemment,
来源：半导体杂志 年份：2000
本文主要研究高剂量氧离子 (1 4～ 2 5× 10 1 8/cm2 )注入Si (10 0 )中 ,形成SOI SIMOX材料的表面Si单晶薄层的电学性能。用扩展电阻和霍耳测量 ,研究了不同的注入条件和退火...
[期刊论文] 作者：范缇文,张敬平,P.L.F.Hemment,
来源：半导体学报 年份：1993
本文用卢瑟福背散射(RBS),横断面透射电子显微镜(XTEM)及微区电子衍射技术研究了锗离子注入硅单晶中的非晶化及二次缺陷的特性。离子注入能量为400keV,剂量范围为1×100~(13)...
[期刊论文] 作者：李金华,林成鲁,G.T.Reed,A.G.Rickman,P.L.F.Hemment,
来源：光学学报 年份：1994
本文分析了SIMOX/SOI和DWB/SOI结构的性能特点.尝试用DWB/SOI材料制备不同波导层厚度的平面光波导样品,并测试了1.15 μm和1.523 μm激光的TE和TM模的传输损耗.1.523 μm光的TE模的最小传输损耗已达0.27 dB/cm.说明DWB/SOI材料是一种有潜力的光波导材料.......
[期刊论文] 作者：林成鲁,周伟,邹世昌,P.L.F.Hemment,
来源：半导体学报 年份：1990
本文报道了在SIMOX(Separation by IMPlanted Oxygen)薄膜材料上制备钛硅化物的研究结果。研究表明,不同厚度的SIMOX薄膜材料上都形成了均匀的TiSi_2,其薄层电阻为4.0—4.5Ω...
[期刊论文] 作者：施左宇,林成鲁,朱文化,U.Bussmann,P.L.F.Hemment,邹世昌,,
来源：功能材料 年份：1993
以离子背散射和二次离子质谱分析了大剂量N~+离子注入A1形成的A1/A1N/A1多层结构。基于离子注入形成A1N埋层的机理,利用计算机程序动态模拟A1N层的形成过程及终态结构。研究...
[期刊论文] 作者：林成鲁,俞跃辉,方子韦,张顺开,倪如山,邹世昌,李金华,P.L.F.Hemment,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1990
本文研究了利用大剂量的N~+和O~+注入单晶硅并经高温热退火以后形成的SOI(silicon on Insulator)新材料的形成过程及其多层结构.对SOI结构进行了红外吸收谱和反射谱的测量,通过对红外反射干涉谱的理论分析和计算机模拟,得到了SOI结构的折射率分布.研究表明,利用......
[期刊论文] 作者：辛火平,林成鲁,许华平,邹世昌,石晓红,吴兴龙,朱宏,P.L.F.Hemment,
来源：中国科学E辑:技术科学 年份：1996
报道了利用100Kev高剂量N~+在不同的温度条件下注入C膜合成新型超硬材料β-C_3N_4的新结果.对这种新材料进行了X射线光电子能谱,Fourier变换红外光谱、Raman光谱、剖面透射电...
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