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[期刊论文] 作者：S.B.Hyder,R.R.Saxena,S.H.Chiao,R.Yeatz,徐振华,,
来源：半导体光电 年份：1980
本文描述了与(100)—InP衬底晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As的气相外延生长,并给出了由这种材料制作的光电二极管的特性。确定了使用氢化物法,在不同的Ga—HCl流量下进行晶...
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