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[期刊论文] 作者：Xue-ping Ren,Fang-fang Zhang,Q,
来源：矿物冶金与材料学报：英文版 年份：2011
在 9731123 K 的 TA15 钛合金的氢吸收动力学用一个试管类型氢处理炉子被学习。运动曲线获得了的氢吸收根据一系列机制方程被分析揭示氢吸收进程的运动参数和机制。结果证明...
[期刊论文] 作者：Xue-ping Ren,Fang-fang Zhang,Q,
来源：城市道桥与防洪 年份：2011
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
,The Effect of Oxygen Partial Pressure during Active Layer Deposition on Bias Stability of a-InGaZnO
[期刊论文] 作者：HUANG Xiao-Ming,WU Chen-Fei,LU Hai,REN Fang-Fang,ZHU Hong-Bo,WANG Yong-Jin,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2015
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[期刊论文] 作者：Jiang Chao,Lu Hai,Chen Dun-Jun,Ren Fang-Fang,Zhang Rong,Zheng You-Dou,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2014
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[期刊论文] 作者：YU Guang,WU Chen-Fei,LU Hai,REN Fang-Fang,ZHANG Rong,ZHENG You-Dou,HUANG Xiao-Ming,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2015
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[期刊论文] 作者：LIU Fei,ZHOU Dong,LU Hai,CHEN Dun-Jun,REN Fang-Fang,ZHANG Rong,ZHENG You-Dou,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2015
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,Temperature-dependent bias-stress-induced electrical instability of amorphous indium-gallium-zinc-o
[期刊论文] 作者：Qian Hui-Min,Yu Guang,Lu Hai,Wu Chen-Fei,Tang Lan-Feng,Zhou Dong,Ren Fang-Fang,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2015
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[期刊论文] 作者：Wang Tian-Jiao,Xu Wei-Zong,Lu Hai,Ren Fang-Fang,Chen Dun-Jun,Zhang Rong,Zheng You-Dou,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2014
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[期刊论文] 作者：Jiang Rong,Lu Hai,Chen Dun-Jun,Ren Fang-Fang,Yan Da-Wei,Zhang Rong,Zheng You-Dou,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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[期刊论文] 作者：ZHOU Dong,LU Hai,CHEN Dun-Jun,REN Fang-Fang,ZHANG Rong,ZHENG You-Dou,LI Liang,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2013
Al0.5Ga0.5N-based metal-semiconductor-metal photodetectors (PDs) with a large device area of 5 × 5 mm2 are fabricated on a sapphire substrate,which are tested...
[期刊论文] 作者：LIAN Hai-Feng,WANG Guo-Sheng,LU Hai,REN Fang-Fang,CHEN Dun-Jun,ZHANG Rong,ZHENG You-Dou,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2013
GaN-based semiconductors are very attractive for fabricating highly sensitive ultraviolet (UV) photodetectors (PDs) owing to their wide direct bandgap,excellent...
[期刊论文] 作者：WANG Guo-Sheng,LU Hai,XIE Feng,CHEN Dun-Jun,REN Fang-Fang,ZHANG Rong,ZHENG You-Dou,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2012
AlGaN-based back-illuminated solar-blind ultraviolet (UV) p-i-n photodetectors (PDs) with high quantum efficiency are fabricated on sapphire substrates.To impro...
[期刊论文] 作者：XU Wei-Zong,FU Li-Hua,LU Hai,REN Fang-Fang,CHEN Dun-Jun,ZHANG Rong,ZHENG You-Dou,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2013
Edge termination is one of the key technologies for fabricating high voltage Schottky barrier diodes (SBDs),which could effectively reduce the peak electric fie...
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