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[期刊论文] 作者：李东升,杨德仁,S.Pizzini,
来源：半导体学报 年份：2004
利用低温光致发光谱研究了直拉硅单晶中位错的光致发光．实验发现普通直拉硅单晶在晶体生长过程中引入的位错密度高于10^7cm^-2时，位错的发光光谱出现了典型的位错D1～D4发光峰；而......
[期刊论文] 作者：LI Dong-Sheng,YANG De-Ren,E.Leoni,S.Binetti,S.Pizzini,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2004
We investigate optical properties of dislocations in nitrogen-doped and nitrogen-free Czochralski silicon. The dislocations are formed during crystal growth, bu...
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