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[期刊论文] 作者：S.Welch,K.Keswick,P.Stout,J.Kim,W.Lee,C.Ying,K.Doan,H.S.Kim,B.Pu,,
来源：集成电路应用 年份：2009
DRAM器件制造商通过缩小设计规则、芯片尺寸来提高存储器性能和密度的方法,正面临着众多挑战。增大电容面积,使用更高介电常数的材料,以及减薄介电材料厚度等方法都能够继续...
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