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[期刊论文] 作者：Hiroshi Hatano,Satoru TaKatsuka,张正璠,
来源：微电子学 年份：1988
为了设计抗辐射的CMOS超大规模集成电路,我们用电源电压为5V的4相时钟CMOS静态移位寄存器研究了包括SOS在内的六种不同的辐射加固结构,并用同样的2μm设计规则设计的时钟CMOS...
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