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[期刊论文] 作者：Mukai T,Nagahama S,Iwasa N,Senoh M,Matsushita T,Sugimoto Y,Kiyoku H,Kozaki T,Sano M,Matsumura H,Umimoto,
来源：发光学报 年份：2001
在InGaN发光二极管中 ,尽管存在着大量的位错 ,但其效率还是相当高的。用InGaN作为有源层是很重要的。在InGaN基LED的情况下 ,为产生光发射需要较高的激发功率。横向大面积外...
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