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[期刊论文] 作者：Pinsukanjana P,Vargason K,Herrera M,Ontiveros D,Boehme C,,
来源：半导体学报 年份：2006
The epi material growth of GaAsSb based DHBTs with InAlAs emitters are investigated using a 4×100mm multi-wafer production Riber 49 MBE reactor fully equipped...
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