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,The Impact of HC1 Precleaning and Sulfur Passivation on the Al2O3/Ge Interface in Ge Metal-Oxide-Se
[期刊论文] 作者：XUE Bai-Qing,CHANG Hu-Dong,SUN Bing,WANG Sheng-Kai,LIU Hong-Gang,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2012
Surface treatment for Ge substrates using hydrogen chlorine cleaning and chemical passivation are investigated on AuTi/Al2O3/Ge metal-oxide-semiconductor capaci...
[期刊论文] 作者：Han Le,Wang Sheng-Kai,Zhang Xiong,Xue Bai-Qing,Wu Wang-Ran,Zhao Yi,Liu Hong-Gang,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2014
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[期刊论文] 作者：Xue Bai-Qing,Wang Sheng-Kai,Han Le,Chang Hu-Dong,Sun Bing,Zhao Wei,Liu Hong-Gang,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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,Effect of the Si-doped In0.49Ga0.51P barrier layer on the device performance of In0.4Ga0.6As MOSFET
[期刊论文] 作者：Chang Hu-Dong,Sun Bing,Xue Bai-Qing,Liu Gui-Ming,Zhao Wei,Wang Sheng-Kai,Liu Hong-Gang,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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