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XPS analysis and Energy-band Alignment of Annealed Al2O3 Films Prepared by Atomic Layer Deposition o
[会议论文] 作者：Feng Zhang,Guosheng Sun,Shengbei Liu,Liu Zheng,Lin Dong,Bin Liu,Wanshun Zhao,Lei Wang,Guoguo Yan,Yiping,
来源：第一届国际ALD应用大会暨第二届中国ALD学术交流会 年份：2012
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[会议论文] 作者：Guoguo Yan,Zhanguo Wang,Guosheng Sun,Xinfang Liu,Feng Zhang,Lin Dong,Liu Zheng,Wanshun Zhao,Lei Wang,,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
Multi-wafer heteroepitaxial growth of 3C-SiC layers on Si(lll) substrates were performed by employing a novel home-made warm-wall low pressure chemical vapor deposition (WLPCVD) system with a rotating...
[会议论文] 作者：郑柳,刘胜北,刘斌,董林,赵万顺,王雷,闫果果,刘兴昉,曾一平,Feng Zhang,Guosheng Sun,Liu Zheng,Shengbei Liu,Bin Liu,Lin Dong,Wanshun Zhao,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文主要研究退火对原子层沉积Al2O3薄膜表面和Al2O3/4H-SiC界面的影响。生长Al2O3薄膜的前驱体为三甲基铝(TMA)与水(H2O)，生长速率为1.26(A)/cycle。薄膜最终厚度为10 nm...
[会议论文] 作者：张峰,Feng Zhang,Guosheng Sun,孙国胜,Liu Zheng,郑柳,Shengbei Liu,刘胜北,Bin Liu,刘斌,Lin Dong,董林,Wanshun Zhao,赵万顺,,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文主要研究退火对原子层沉积Al2O3薄膜表面和Al2O3/4H-SiC界面的影响。生长Al2O3薄膜的前驱体为三甲基铝(TMA)与水(H2O)，生长速率为1.26(A)/cycle。薄膜最终厚度为10 nm。然后将Al2O3薄膜在氮气中1000℃下退火1min。检测结果显示，退火后Al2O3薄膜粗糙度增加。同......
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