搜索筛选:
搜索耗时0.0957秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 3 篇相符的论文内容
类      型:
[期刊论文] 作者:ZHAO Aaron,TALLAVARJULA Sai,, 来源:Science China(Information Sciences) 年份:2010
The electric characteristic of MOS capacitor with HfO_2/SiO_2/p-Si grown by ALCVD (atom layer chemical vapor deposition) is investigated. The C-V curves show th...
[会议论文] 作者:Ting Gu,Shuhong Zhao,Aaron Bogutz,Louis Lefebvre, 来源:第34届动物遗传学国际大会(The 34th International Society for Animal Gene 年份:2014
[期刊论文] 作者:刘红侠,匡潜玮,栾苏珍,ZHAO Aaron,TALLAVARJULA Sai,, 来源:中国科学:信息科学 年份:2010
本文研究了原子层化学气相淀积ALCVD(atom layer chemical vapor deposition)方法淀积的HfO2/SiO2/p-SiMOS电容的电特性.高频时,积累电容出现了频率色散现象.针对双频C-V法测...
相关搜索: