基于沟道调效应、串联电阻效应的考虑，首先建立了一个和实验室符合很好的６Ｈ－ＳｉＣＪＦＥＴ的模型，在该模型中采用了两种电离杂质模型和Ｃａｕｇｈｅｙ－Ｔｈｏｍａｓ方程，接着在分析......