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互补金属氧化物半导体pH值传感器相关论文
基于标准CMOS工艺的新型pH值传感器
基于0.6μmCMOS工艺设计了一种新型的pH值传感器。多晶硅和双层金属电极形成复合的悬浮栅结构,Si3N4钝化层作为敏感层。传感单元为W/L......
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互补金属氧化物半导体pH值传感器
氮化硅钝化层
悬浮栅
阈值电压
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