亚晶铝带相关论文
用TEM研究了采用旋涡搅拌法制造的SiCp/ZL109复合材料的界面,发现,SiCp与基体界面无反应物生成,界面结合致密,硅容易在碳化硅表面结晶或析出;在SiCp/Al界面的基体......
以常规 TEM为工具 ,研究了 Si CP/ ZL10 9复合材料中数十个 Si C颗粒及其界面 ,Si优先在 Si C表面上形核、长大 ,形成界面 Si,并形......
以常规TEM为工具,研究了SiCP/ZL109复合材料中数十个SiC颗粒及其界面,Si优先在SiC表面上形核、长大,形成界面Si,并形成大量SiC/Si......
通过利用 TEM研究 Si Cp/ Al- Si复合材料发现 :Si C/ Al界面结合紧密 ,在靠近 Si C界面的 Al基体中 ,有一层厚度小于 1μm的“亚......
通过利用TEM研究SiCp/Al-Si昨合材料发现,SiC/Al界面结合紧密,在靠近SiC界面的Ala基体中,有一层厚度小于1μm的“亚晶铝带”,它紧靠SiC表面形成,与远离SiC的Al基体有几度的位......