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亚10nm相关论文
亚10纳米二维平面隧穿晶体管的理论研究
降低晶体管的功耗是后摩尔时代半导体技术发展的需求。隧穿晶体管(TFET)的亚阈值摆幅可以低于60 mV/dec,从而减少供应电压,降低动态......
学位
二维材料
亚10nm
隧穿晶体管
亚阈值摆幅
从头算量子输运计算
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