亚阈值摆幅相关论文
设计了一种锗源环栅线隧穿晶体管（GAA-LTFET），并采用TCAD工具对其工作原理进行了分析，通过双栅功函数技术抑制寄生点隧穿机制，消除了转......
文章提出一种新型Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管（GP＿Si/Ge＿DGTFET）。该器件在异质结的基础上加入凹槽型pocket结构，禁带宽度较窄的Ge......
随着芯片集成度的提高、器件小型化的不断发展,由此带来的功耗问题也亟待解决。由于玻尔兹曼分布导致常规MOSFET的亚阈值摆幅（SS）无......
在摩尔定律的指导下,集成电路的特征尺寸不断减小,纳米尺度下MOSFET器件的漏电问题越来越严重,日益增大的功耗限制了晶体管尺寸进......
目前,在移动便携式电子产品市场的强烈需求推动下,低功耗将成为芯片的关键设计指标。尽管可以采用电路与系统级的方法来降低功耗,......
二维层状材料因其独特的几何结构和电学性质,受到人们越来越广泛的关注,有望在半导纳米体器件应用中成为传统块体材料的代替者.近......
现代显示技术在飞速发展，人们对高分辨率、高帧数的需求不断提高，所以显示器对驱动器件性能的需求也不断提高。目前显示行业中使用的......
负电容场效应晶体管作为低功耗领域最具潜力的器件之一,自从被提出以来就被学者广泛研究。特别是在掺杂氧化铪基薄膜被证明有铁电......
根据摩尔定律的指导,集成电路特征尺寸不断减小,近几年晶体管栅长已达到纳米量级,在此量级下小尺寸效应变得越来越严重,短沟道效应......
近年来,随着晶体管的尺寸不断减小,短沟道效应的日益加重使得硅基器件的速度和功耗逼近了物理极限,因此需要寻找新型的沟道材料,以......
随着集成电路特征尺寸的逐渐缩小,MOSFET发展受到了严重限制,同时芯片功耗与性能之间的矛盾也日益突出。为了解决芯片功耗与性能之......
MOSFET作为半导体集成电路中不可或缺的元器件,为集成电路的快速发展做出了极大的贡献。但随着集成电路特征尺寸到达纳米级,MOSFET......
由于短沟道效应,硅基半导体器件的发展即将接近预测的5nm极限尺寸。石墨烯的发现引起了新型二维层状材料的研究热潮。因为二维材料......
随着集成电路领域的日益发展,芯片集成度不断提高的同时MOSFET器件尺寸也在不断缩小。当今,尺寸缩小所带来的功耗增大问题变得越来......
降低晶体管的功耗是后摩尔时代半导体技术发展的需求。隧穿晶体管（TFET）的亚阈值摆幅可以低于60 mV/dec,从而减少供应电压,降低动态......
太赫兹射线是一种介于微波和红外之间的射线,具有频率高、穿透能力强、生物无损害等显著优点,在宽带通信、雷达、电子对抗、医学成......
在摩尔定律的指导下,集成电路中MOS器件的栅长在不断减小,目前已经减小到10nm左右。随着集成电路中关键尺寸的不断减小,小尺寸带来......
伴随半导体技术的不断发展成熟,对作为大型集成电路基本单元的晶体管提出了更高的要求。摩尔定律表明了,随着半导体产业的发展需求......
随着半导体技术逐渐发展成熟,MOSFET晶体管作为大型集成电路的基本单元,根据摩尔定律的要求,尺寸会变得越来越小,如今的微电子技术......
介绍了一种锗硅(Si1-xGex)沟道双栅(DG)负电容(NC)隧穿场效应晶体管(TFET),在Sentaurus TCAD软件中通过耦合Landau-Khalatnikov (L......
铁电负电容场效应晶体管作为一种新型半导体器件,利用铁电材料的负电容效应可使晶体管的亚阈值摆幅突破理论极限值60 mV/dec,是未......
在传统场效应晶体管的发展中,由于亚阈值摆幅(SS)极限的存在(60 mV/dec),在超大规模集成电路(ULSI)中,电源电压的缩放受到物理障碍......
随着传统MOSFET器件特征尺寸不断的缩小,芯片集成度逐渐提高,器件短沟道效应变得越来越明显,导致器件关断时泄漏电流显著增大,功耗......
基于量子隧穿原理的带-带隧穿场效应晶体管(BTB TFET)是Intel预测的未来晶体管发展方向之一,其独特的带-带隧穿机理以及源极区和漏......
随着微电子技术进入纳米领域,功耗成为制约技术发展的主要因素,因此,低功耗器件成为半导体器件领域的研究热点。负电容场效应晶体......
在新型多栅器件栅电容模型的研究中,量子电容随着沟道长度及栅氧化层厚度的不断减小而变得越发不可忽略。推导了基于绝缘体上硅(SO......
采用了一种新的方法研究纳米金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFETs）的亚阈值特性，即正则摄动法，由于在纳米MOSFETs中，常用的耗尽近似和页......
为解决现有隧穿场效应管(TFET)开态电流相对较低的问题,设计一种以石墨烯异质结为导电沟道的新型TFET器件。根据石墨烯条带导电性......
近些年来，由铁电场效应晶体管构成存储单元的铁电存储器，由于具有结构简单、非破坏性读出、不易挥发、功耗低、可多次反复读写、可高......
基于隧穿场效应管（TFET)P-I-N结构，考虑在源区与沟道之间施加一段与源区掺杂性质相反的高掺杂区（PNIN-TFET),加大源区到沟道的转变，提......
双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管（DG a-IGZO TFTs）具有比单栅a-IGZO TFTs更优良的电学性能.文中基于a-IGZO/SiO_2界面缺陷态呈指数型分布......
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GaN材料由于其禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、临界击穿电场强、化学性质稳定等优越性能,使得GaN基异质结场效应晶体管(HFETs)非......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
通过结合BSIMCMG模型与负电容（negative capacitance（NC））模型，构建了NC-FinFET模型。基于所建立的NC-FinFET模型，推导分析了其等效电容......
铁电负电容晶体管的亚阈值斜率可低于60mV/dec的理论极限,是未来突破晶体管工作电压VDD和功耗的关键技术之一。自2008年铁电负电容......
低能耗的隧穿场效应晶体管(TFETs)作为传统金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)的潜在替代者而受到人们广泛关注.与MOSFETs不......
介绍了非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的制备,并在不同环境下进行了退火。其中,经过一次退火冷却后再进行第二次退火的器......
利用三维器件模拟软件,研究了深亚微米三栅FinFET的短沟道效应,并模拟了阈值电压和亚阈值摆幅随硅鳍(fin)厚度和高度的变化情况。......
石墨烯纳米带场效应管(graphene nanoribbon field effect transistor,GNRFET)作为后硅基时代集成电路基础器件的有力竞争者受到广......
为了使集成电路按照摩尔定律继续发展下去,新工艺、新结构与新材料等在半导体器件中得到了应用。高迁移率器件就是在新材料方面的......
随着金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET)栅长缩小到45nm以下,受载流子......
近些年来,铁电场效应晶体管得到了人们广泛的关注与研究,它被用作铁电存储器的存储单元,而铁电存储器由于其优良的特性(存储速度快......
