钛酸锶钡(BaSrTiO，BST)是典型的非线性电介质材料。其交变小信号介电常数较大，并随外加直流偏压的改变而显著变化，因而有望成为电可调......

用脉冲激光沉积工艺在半导体（001）SrTiO3：ω（Nb）=1．0％单晶基片上，外延生长出Ba（Zr0.2Ti0.8）O3（简称BZT）介电薄膜．在650℃原位退火10min，薄膜为（001......

用脉冲激光沉积工艺制备了Ba（ZrxTi1-x（x=0．25，0．30简称BZT25和BZT30）介电薄膜。在650℃原位退火10min，薄膜为（111）取向柱状生长的晶粒，取向......

在Pt（111）／Ti／SiO2／Si（100）衬底上，用脉冲激光沉积工艺制备出了高度a轴取向生长的（Ba0.65Sr0．35）TiO3（BsT）薄膜。薄膜为柱状生长的纳米晶粒，平均......

在Pt（111）／Ti／SiO2／Si（100）衬底上，用溶胶-凝胶法制备出多晶（Pb（1-x）／100Lax／100）Ti（1-x／4）／100O3（x=28，简称PLT28）薄膜。PLT28薄膜的平均晶粒尺寸为25～30......

用脉冲激光沉积法制备(Ba1-xSrx)TiO3 (x = 0.35,0.50简称BST35和BST50)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,获得高度(100)取向柱状生......