柱状晶粒相关论文
在以富铝莫来石为基质的ZTM(2.0mol℅YO)材料中加入LaO，制备出致密的ZTM(LaO)试样。试样显微结构由柱状莫来石晶粒和等轴状晶粒组成......
提高光电转换效率是当前太阳能电池亟待解决的问题，在电池表面涂覆一层或多层光学性质匹配的陷光薄膜，减少电池表面光的反射损失，增加......
采用磁控溅射离子镀膜技术在贫铀表面制备金属镍镀层，利用X 射线衍射技术、电子扫描显微观察研究了镍镀层在不同阴极偏压下的组......
分布均匀、直径较小的柱状晶粒是目前高效多晶硅铸锭工艺改进的目标.本文采用异质颗粒作为多晶硅生长的形核点,生长晶粒均匀的高效......
铜焊缝其晶粒组织为粗大柱状晶粒,无法进行利超声检测.本文介绍如何利用X射线法对铜焊缝射线检测,通过底片上的影像来测定计算工件......
利用大气等离子喷涂技术,制备了氧化锆常规和纳米结构涂层.对氧化锆涂层的显微结构进行了探查.结果表明:纳米结构涂层是颗粒在100......
该文对具有柱状晶粒的富硅莫来石中的柱状晶粒进行了形貌观察，并采用透射电子衍射和能谱分析测定了柱状莫来石是沿（００１）方向生长发育的，同......
该文报道了RTCVD制备太阳能电池用、10-20微米厚、柱状晶粒多晶硅薄膜的方法，选用两种衬底：SiN和SiO，对比研究了薄膜的形态结构，发现前......
该文报道了在ＳｉＯ〈，２〉和Ｓｉ〈，３〉Ｎ〈，４〉膜上用ＲＴＣＶＤ法直接沉积多晶硅薄膜的实验结果，在这两种薄膜上都制备出了具有柱状晶粒的多晶硅薄膜。发现两者......
据“ASME Journal of Engineering for Gas Turbines and Power”1998年7月号报道，最近几十年为了追求燃气轮机及联合循环装置的最......
将AlF3加入莫来石(莫来石/氧化锆)先质中,生坯试样经密闭处理及常压烧结,可获得莫来石柱状晶粒生长.实验结果表明:莫来石柱状生长......
Thin plates of 21% Cr ferritic stainless steel welded by pulsed gas tungsten arc welding at different pulse frequencies ......
针对某型发动机使用后发现的动力涡轮导向器叶片裂纹及掉块现象,通过对裂纹件及样机件进行冶金对比分析和模拟验证试验,确定导致零......
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将ＡｌＦ３加入莫来石（莫来石／氧化锆）先质中，生坯试样经密闭处理及常压烧结，可获得莫来石柱状晶粒生长。实验结果表明：莫来石柱状生长使莫来石陶......
为生产 Fe-6.5wt% 的一个新技术原型由方向性的团结的 Si 电的钢表，在滚动前的热处理，温暖的滚动，并且冷滚动在现在的学习被建议。在......
Hot deformation characteristics of as-cast high-Cr ultra-super-critical rotor steel with columnar gr
Isothermal hot compression tests of as-cast high-Cr ultra-super-critical（USC） rotor steel with columnar grains perpendicul......
用脉冲激光沉积工艺制备了Ba（ZrxTi1-x（x=0．25，0．30简称BZT25和BZT30）介电薄膜。在650℃原位退火10min，薄膜为（111）取向柱状生长的晶粒，取向......
概述了自韧氮化硅陶瓷技术的最新进展，并对影响柱状氮化硅陶瓷原位形成的因素，以及影响自韧氮化硅陶瓷裂韧性的因素进行了分析。......
本文制得了莫来石／莫来石（柱状）、ＺＴＭ／莫来石（柱状）类似于晶须增韧复合陶瓷显微结构的莫来石基陶瓷，并对柱状莫来石的断裂进行了研究和分析，莫......
Sialon陶瓷因其具有优异的高温机械性能而成为最重要的结构陶瓷材料之一.与Si3N4相似,sialon陶瓷也具有α,β两种晶体结构,β-sial......
Polycrystalline Fe83Ga17 alloy rods with various amounts of yttrium were prepared by high vacuum induction melting. It i......
综述了Si3N4陶瓷的特性、晶体结构、粉末的制备、烧结技术以及应用.并重点介绍了影响其显微结构力学性能的因素.最后提出目前存在......
介绍了在大钢磁钢生产中，采用在组合铸型中装入碳粒，并插入电极，直接加热铸型，控温冷却定向结晶以及对大型磁钢铸件低温热磁处理的工艺......
用脉冲激光沉积法制备(Ba1-xSrx)TiO3 (x = 0.35,0.50简称BST35和BST50)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,获得高度(100)取向柱状生......
本文阐述了近年来自韧化Si3N4陶瓷技术的研究情况，对自韧化Si3N4的生长机理、影响柱状Si3N4生长的各种因素，以及自韧化Si3N4的断裂韧......
