低压压敏电阻相关论文
利用新型sol-gel法制备了B2O3掺杂的ZnO薄膜.用SEM表征了B2O3掺杂前后ZnO薄膜的表面形貌,用XRD详细分析了不同B2O3含量掺杂下ZnO薄......
ZnO是一种重要的半导体材料.本文对ZnO薄膜对次晶相及其变化特征进行了研究.利用新型sol-gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上制备了......
利用CS-m-D六面顶压机,对钴掺杂氧化锌Zn1-xCoxO(x=0,0.02,0.05,0.1)纳米粉末样品,在温度为600℃和压力为常压、4 GPa、6 GPa的条......
CaCu3Ti4O12(CCTO)具有立方钙钛矿结构,未发现在其内部存在自发极化,但是CCTO却显示出了很高的介电常数[1-3],并且在很宽的温......
该论文在分析了国内外低压ZnO压敏电阻研究开发的基础上,首次采用有机热液法制备ZnO,利用热液法的特点和有机介质的模板定位作用实......
ZnO压敏电阻是一种具有优良非线性伏安特征的电路保护元件,其响应快,稳定工作温度范围宽,浪涌吸收能量强,因而广泛应用于各种电路......
报道了一种以掺杂物溶液包裹ZnO粉末制备高性能ZnO低压压敏陶瓷的新方法。采用该方法与常规固相反应法分别制备了低压ZnO压敏复合......
为获得集成电路过电压保护用低压压敏电阻，以中压ZnO压敏电阻的配方为基础，通过研究与实验，确定了采用添加晶粒助长剂TiO2和籽晶、晶......
利用新型 Sol- Gel法在镀有 Au底电极的单晶硅片上制备 Bi2 O3、Sb2 O3掺杂的 Zn O陶瓷薄膜。先驱体溶液由 Bi2 O3、Sb2 O3掺杂的 ......
