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为获得集成电路过电压保护用低压压敏电阻，以中压ZnO压敏电阻的配方为基础，通过研究与实验，确定了采用添加晶粒助长剂TiO2和籽晶、晶界稳定剂硼银玻璃和Ta2O5，低温烧结等途径，研制出了低压ZnO压敏电阻。测试结果表明，该ZnO压敏电阻的压敏电压为15～25V，漏电流小（〈2μA），非线性特性好（α〉29）。