热载流子效应相关论文
自MOSFET器件诞生以来,对器件进行物理建模一直是器件研究的主要内容之一。器件模型是电路设计的基础,利用器件模型可以在软件层面......
本文主要研究了准分子激光退火（Excimer laser annealing,ELA）形成的n型低温多晶硅薄膜晶体管（Low Temperature Polycrystalline Sili......
研究了A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在不同持续恒压电应力条件下的退化机制,制作了一种A1GaN/GaN HEMT.对该器件分别采用恒......
超大规模集成电路的迅速发展,迫切要求提高整个电路系统及单个器件的性能与可靠性,这是因为集成电路是由元器件组成的,单个器件的......
随着集成电路集成度的不断提高,半导体器件的尺寸不断缩小并向深亚微米发展,金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的热载流子效......
功率MOS集成电路提高了整机系统的稳定性和可靠性，已在国民经济各领域中发挥了非常重要的作用。高压LDMOS具有击穿电压高、导通特性......
对氧化层厚度为 4和 5 nm的 n- MOSFETs进行了沟道热载流子应力加速寿命实验 ,研究了饱和漏电流在热载流子应力下的退化 .在饱和漏......
在最大衬底电流条件下(Vg=Vd/2),研究了不同氧化层厚度的表面沟道n-MOSFETs在热载流子应力下的退化.结果表明, Hu的寿命预测模型的......
用二维器件仿真软件MEDICI模拟分析了N型槽栅金属 氧化物 半导体场效应晶体管的热载流子特性及其对器件性能所造成的损伤 ,并与......
对 0 .1微米级 MOS器件的制作方法进行了研究 ,并提出了两次曝光的新方法。文中还介绍了芯片制作所用版图设计和实际制作过程 ,得......
研究不同沟道长度n 沟道MOS场效应晶体管的热载流子效应对其退化特性的影响.实验结果表明,随着器件沟道长度的减小,其跨导退化明显......
对0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子的可靠性进行了研究。在Vds=5V,Vgs=2.1V的条件下,加电1 000s后,宽长比为4/0.5的部分耗尽SOI......
基于中国科学院微电子研究所开发的0.35μm SOI工艺,制备了深亚微米抗辐照PD-SOI H型栅nMOSFET。选取不同沟道宽度进行加速应力实......
研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场......
采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法,建立了适用于亚微米、深亚微米的LDD MOSFET输出I-V特性解析模型,模型中重点......
基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件Medici对深亚微米槽栅PMOS器件的结构参数,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度......
提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接......
美国麻省理工学院及哈佛大学的研究人员发现，石墨烯可以对光产生不同寻常的反应，在室温和普通光照射下，就可以发生热载流子效应，产生电......
高压P-LDMOS的失效实验分析表明其沟道区的高峰值电场会导致沟道区的热载流子效应，从而将降低高压P-LDMOS的可靠性．借助半导体器件专......
亚微米MOSFET的热载流子效应会引起器件的失效，文中分析了热载流子效应引起器件失效的机理和物理模型，对该效应的内部电场、衬底电流......
介绍了热载流子引起MOS器件退化的机制及其退化模型、最大应力模式和典型的寿命预测模型等,并对器件退化的表征技术进行了概述.......
热载流子效应(HCE)、电介质击穿、静电放电,以及电迁移等失效机理,已经对VLSI电路的长期可靠性造成了极大的威胁.其中,热载流子效......
基于流体动力学能量输运模型和幸运热载流子模型，用二维器件仿真软件Medici对深亚微米槽栅NMOSFET的结构参数，如沟道长度、槽栅凹槽......
本文研究了交流就力下的热载流子效应，主要讨论了脉冲应力条件下的热空穴热电子交替注入对NMOSFET's的退化产生的影响，在脉冲应......
对同一工艺制作的几种不同沟道长度的MOSFET进行了沟道热载流子注入实验.研究了短沟MOS器件的热载流子效应与沟道长度之间的关系.......
应用二维器件仿真程序PISCES-Ⅱ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征及其对热载......
基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件MEDICI对深亚微米槽栅PMOS器件的结构参数,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度......
通过模拟和实验研究了不同的halo注入角度的NMOSFET，研究发现halo的注入角度越大，热载流子效应的退化越严重。考虑到由于热载流子的......
研究了不同沟道和栅氧化层厚度的n—MOS器件在衬底正偏压的Va=VD／2热载流子应力下，由于衬底正偏压的不同对器件线性漏电流退化的影响......
基于流体动力学能量输运理论,对槽栅PMOSFET器件的端口特性进行了仿真研究,包括栅极特性、漏极驱动能力和抗热载流子性能等.仿真结......
针对CCD片上放大器的寿命进行了研究。通过设计独立的MOSFET，使用衬底电流模型进行热载流子效应分析，研究其特性参数Gm退化量与退化......
文章从MOSFET热载流子效应角度研究了N—LDMOSFET在不同的区域掺杂浓度条件下器件的最坏热载流子应力条件；在确定的器件工作条件下......
研究了横向绝缘栅双极型晶体管（LIGBT）的热载流子退化机理及环境温度对其热载流子退化的影响.结果表明,器件的主导退化机制是鸟嘴处......
通过实验进行了SRAM数据残留机理的研究，建立了数据残留时间与温度的关系。确定了低温下非平衡载流子复合率及扩散速度的降低，是导致......
利用二维器件仿真软件MEDICI，基于动力学能量输运模型对沟道掺杂浓度不同的深亚微米槽栅PMOSFET的特性进行了研究，并与相应平面器件......
对深亚微米器件中热载流子效应（HCE）进行了研究，还研究了沟道热载流子的产生和注入以及与器件工作在高栅压、中栅压和低栅压三种典型......
分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响，提出了两条沟道设计的原则——拉长沟道同时降低沟道浓度．模拟结果显示，两条......
采用SIVALCO软件对槽栅与平面器件进行了仿真对比分析，结果表明槽栅器件能够有效地抑制短沟道及热载流子效应，而拐角效应是槽栅器件......
研究了DC应力n-MOSFET热载流子退化的Sfγ噪声参量.提出了用噪声参数和Sfγ表征高、中、低三种栅应力下n-MOSFET抗热载流子损伤能......
基于SOI技术对器件特性的良好改善和槽栅MOS器件在深亚微米领域抑制短沟道效应和抗热载流子效应方面的显著优势,对SOI槽栅CMOS器件......
提出了一种新型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（SOI-LIGBT），该晶体管在沟道下方的 P 型体区旁增加了一个特殊的低掺杂 P 型阱区，在......
研究了总剂量辐照效应对0.35μm的NMOS器件热载流子测试的影响,结果发现：经过100 krad（Si）总剂量辐照的NMOS器件在热载流子测试时其阈......
利用描述半导体内热载流子效应的1维能量平衡模型,对波段外10.6 μm激光辐照下光导型HgCdTe探测器的电学响应进行了数值模拟.结果......
研究了MOS器件中的热载流子效应,在分析了静态应力下MOSFET寿命模型的基础上,提出了动态应力条件下MOSFET的寿命模型.此外,还研究......
研究了总剂量辐照效应对0.35μm n型金属-氧化物-半导体（NMOS）器件热载流子测试的影响.试验结果表明：经过100 krad（Si）总剂量辐照后进行......
当器件特征尺寸不断微缩至深纳米时,短沟道效应严重恶化了传统平面MOSFET器件的性能,非平面鳍式场效应晶体管(FinFET)成为了20纳米......
文章主要讨论在相同工艺条件下，针对不同栅氧厚度（例如：Tox分别为150A、200A、250A,）的NMOSFET进行加速应力试验，在试验中当某些参数的......
随着集成电路制造工艺的不断进步,沟道长度、结深、栅氧厚度等特征尺寸不断减小,而电路的电源电压没有按比例减小,易造成MOSFET的......
基于0.18μm CMOS工艺开发了抗总剂量辐射加固技术,制备的1.8 V NMOS器件常态性能良好,器件在500 krad（Si）剂量点时,阈值电压与关态......
当器件尺寸进入深亚微米后,SOI MOS集成电路中的N沟和P沟器件的热载流子效应引起的器件退化已不能忽视.通过分别测量这两种器件的......
