低温度漂移相关论文
通常PMOSFET 栅源电压为-20～20 V,而用于GaN 功率放大器的高压PMOSFET 驱动器,其工作电压为28～50 V,因此需要一种新型电路结构来保证......
在生物芯片反应仪中采用铂电阻测温时,设计了精密低温度漂移电流源来转换电阻信号为电压信号.信号调理电路采用减法电路,串行 A/DT......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
设计了一种高精度的电流基准电路．电路采用正温度系数和负温度系数的电流并联相加，并考虑了电阻的温度系数，得到与温度无关的基准电流......
文章论述了一种电网电压监测方案的确定过程,给出了减少电路温度漂移的有效方法,使得实施后的装置能够满足国家标准.......
