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为减少碳化硅（silicon carbide，SiC）金属氧化物半导体场效应管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOSFET）的开关时间......
期刊
本课题的研究目的旨在从改变功率VDMOS的结构参数入手得到外延层厚度和栅源电压对功率VDMOS纵向电场的影响,并且在结构参数变化的......
介绍一种基于计算机控制,运用于MOSFET单粒子效应动态测试的便携式仪器.它能对MOSFET在不烧毁情况下进行反复测试,捕捉其烧毁电流......
<正>引言 在当今的开关电源设备中,当电源电压在200V以下时, 主开关功率器件一般都使用功率MOS器件。所以深入了解 功率MOS器件的......
