光子探测效率相关论文
在越来越多的光子计数应用中,用于近红外光波长领域的单光子探测器受到广泛关注。例如在量子信息处理、量子通信、3D激光测距（LiDAR......
单光子雪崩二极管（SPAD）广泛应用于正电子发射断层扫描、激光雷达等单光子探测领域。本文旨在研究用于探测420nm波长光子的传统SPAD......
设计了一种基于金属-介质-金属波导的半圆形谐振腔与矩形谐振腔的耦合结构, 采用有限元方法研究了该结构的传播特性.结果表明：透射......
光子计数成像技术采用具备单光子检测灵敏度的传感器,通过对目标场景的高精度采样获取其二维图像信息。单光子计数探测以其高灵敏......
本文由两部分组成，第一部分是关于BESIII电磁量能器（EMC）对低能光子探测效率的研究，第二部分是离线数据质量检查。光子探测效率是EMC的......
单光子雪崩二极管是单光子探测器的核心器件之一,可用于检测光信号。随着光电探测技术的日趋成熟,基于180nm CMOS工艺的单光雪崩二......
本文由两部分组成，第一部分是关于BESⅢ电磁量能器(EMC)对低能光子探测效率的研究，第二部分是离线数据质量检查。 光子探测效率是......
针对现有单光子探测器模块价格昂贵和电路复杂的不足,设计了基于InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)的便携式单光子探测器,给出了APD门......
应当把探测效率作为光子探测系统的一个重要的总体性能指标,它标志了系统灵敏度发挥的程度。探测效率可以用相对统计比较法进行测......
基于0.18μm CMOS工艺技术,制作了单光子雪崩二极管,可对650~950nm波段的微弱光进行有效探测.该器件采用P~＋/N阱结构,P~＋层深度较深,......
基于标准0.35μm CMOS工艺设计了一种单光子雪崩二极管器件.采用p＋n阱型二极管结构,同时引进保护环与深n阱结构以提高单光子雪崩二......
基于深亚微米CMOS工艺,设计了一种采用非接触式P阱保护环来抑制边缘击穿的单光子雪崩二极管结构.采用器件仿真软件Silvaco Atlas分......
针对表面淬灭电阻技术引起死区面积较大,以及高光子探测效率与大动态范围不能同时满足的矛盾,应用外延电阻淬灭技术,采用与雪崩光......
基于180nm标准CMOS工艺,设计了一种能够有效提高光子探测效率的双电荷层结构的单光子雪崩二极管.该器件结构采用P电荷层和逆行掺杂......
针对现有单光子探测器模块价格昂贵和体积大的不足,设计了基于In Ga As/In P雪崩光电二极管(APD)的便携式单光子探测器,给出了探测......
基于标准0.18μm CMOS工艺设计了一种新型单光子雪崩二极管(SPAD)器件。该SPAD以p-well/n-well轻掺杂雪崩结作为器件的核心工作区......
通过分析多像素光子计数器（MPPC）的工作原理和其光学串话（OC）效应的特点，提出在使用MPPC输出雪崩信号的幅度或电荷量作为光子计数的参量......
单光子雪崩二极管(SPAD,Single Photon Avalanche Diode)具有响应度快、雪崩增益大、探测效率高、功耗低等特点,由它组成的SPAD探......
近年来,随着工艺水平的日益提高以及科学技术日新月异的发展,单光子探测技术正向集成化、微型化、阵列化等方向发展,而传统结构的......
