雪崩光电二极管相关论文
红外光电探测技术正朝着大规模、小型化、多色化、高速响应及三维成像等方向发展。碲镉汞（Hg Cd Te）等第三代APD,以其高增益,高灵敏......
本工作制备并分析了SiC nip雪崩光电二极管（avalanche photodiodes, APDs）雪崩倍增的物理机制。与280 nm相比，在240 nm紫外光入射时，Si......
单光子探测器能够探测极微弱光信号,具有较高的灵敏度,在民用和国防领域都有广泛的应用。近年来,随着科学技术的飞速发展,在传统光......
海洋是生命之源,海洋总面积约为3.6亿平方千米,约占地球表面积的71%,平均水深约3795米,海洋中含有13多亿立方千米的水,约占地球上......
短波红外线（Shortwave Infrared,SWIR）是指波长介于0.9～1.7μm之间的电磁波。这种人眼看不见的光与可见光十分相似,可通过在物体表面......
雪崩光电二极管(APD)因为其高灵敏度和高增益带宽的优势已被广泛应用在高比特率、远程光纤通信系统中,而雪崩过程中产生的过剩噪声......
随着5G时代的到来,自由空间光通信成为无线通信领域的研究热点,限制激光通信系统在大气信道下发展的主要因素是湍流闪烁效应.为了......
碲镉汞雪崩光电二极管（HgCdTe APD）因其具有高增益、高带宽、高量子效率、低噪声的优良性能，在主动/被动成像、激光雷达、波前传感和......
设计并制备了一种面向25Gbit/s长距离传输用背面进光高速InAlAs雪崩光电二极管(APD),芯片采用垂直台面吸收-渐变-电荷-倍增层分离(......
为从根本上阻断InGaAs/Si之间的失配晶格,获得低噪声的InGaAs/Si雪崩光电二极管,理论上在InGaAs/Si键合界面插入超薄a-Si键合层,彻......
水下无线光通信系统（Underwater Wireless Optical Communication,UWOC）拥有更高的数据速率,更低的时延和更好的安全性等特点,作为一......
近年来,激光雷达系统已经广泛的应用于航天测绘以及自动驾驶等领域,模拟前端电路是其核心部件之一,制约着系统的性能指标。模拟前......
雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode,APD）广泛应用于光纤通信、激光测距和量子成像等领域中。其中Ge/Si APD由于具有Ge的工作波段......
基于雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode,APD）的单光子探测技术,因其具备超高灵敏度的光电检测性能,已广泛应用到量子通信、激光测......
近年,随着光电检测技术的不断发展以及器件工作环境的逐渐极端,对于信号检测灵敏度的要求也越来越高,普通的光电探测器与电路设计......
随着硅基微电子技术的成熟,人们步入了由电子革命主导的信息时代。硅工业的发展遵循着著名的摩尔定律,该定律指出集成电路芯片中晶......
激光测距领域中,基于时间相关单光子符合计数技术的脉冲飞行时间激光测距（单光子测距）可将测距系统的灵敏度提升至单光子水平,降低远......
通过优化倍增层的厚度,研究了InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管增益带宽积和暗电流之间的关系。利用仿真计算得出200 nm厚的倍增层能够......
光电子器件的发展为人们的生活提供了方便和快捷,光电探测器是光接收器件,是光电子器件中的重要组成部分。雪崩光电探测器（APD）是应......
InGaAs/InP雪崩光电二极管(avalanche photodiode APD)可实现近红外波段的单光子检测,具有集成度高功耗低等优势,被广泛应用于量子......
雪崩光电二极管（Avalanche photodiode,以下简称APD）由于其在盖革模式下可以实现对单光子信号探测的特性被广泛地运用于量子通信、激......
越来越多的民用与军事对高灵敏度紫外探测的需求促进了GaN基雪崩光电二极管(APD)的快速发展。雪崩光电二极管工作在高反偏电压状态......
对空激光测距机在夜间测距时,会出现近距离误测数据的干扰,本文从理论与实验方面阐明了产生这种干扰的原因,并提出在机内设置夜间......
针对雪崩光电二极管(avalanche photodiode diode, APD)增益受偏压影响的特点,本文应用LT3468充电控制器IC和反激式变压器设计了一......
无源光网络(PON)通常采用二进制非归零码(NRZ)调制技术，该技术存在如下缺点：系统的频谱效率最低，对无源光网络中相邻射频(RF)电视信道......
采用固态结构的雪崩光电二极管，利用其工作在盖革模式下的单光子探测能力，构建了光子计数成像实验系统。通过实验验证，该系统在10-3lx......
利用Zn扩散方法制备了倍增层厚度为1.5,1.0,0.8 μm的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APDs),研究了该器件特性。随着倍增层厚度......
针对恒虚警工作方式下, 噪声、信号及倍增因子之间相互作用的问题, 分析了倍增因子、背景辐射对APD探测系统性能的影响以及恒虚警......
单光子探测模块在多个领域中有重要的用途,然而现有的单光子探测模块依赖进口芯片.研制了一种基于国产元器件的1550 nm的单光子探......
设计了一种具有升压和自动温度漂移补偿功能的雪崩光电二极管(APD)偏置电压模块,该模块包含正反馈振荡器、高频全波整流电路和温度......
针对光电探测器检测微弱光信号时输出信号幅度小且易失真的问题,设计了可见光波段的大面积雪崩光电二极管(APD)接收电路。该电路包......
本文发展了一种基于高精度单光子探测器的激光测距方法,实现了百微米量级精度的非合作目标激光测距.单光子测距系统引入参考位置,......
在使用时间关联单光子计数的量子保密通信、量子密码术等量子光学领域中,雪崩光电二极管（APD）拥有广泛的应用。然而在其工作过程中,......
Large-area 4H-SiC avalanche photodiodes with high gain and low dark current for visible-blind ultrav
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为了缩短单光子探测器工作的死时间，提高单光子计数率，在分析单光子探测器被动抑制工作模式的基础上，针对硅雪崩光电二极管的工作特点......
我们在 p-i-n 类型和分开的吸收调查了电场的分发，增加(SAM ) 类型在不同反向的偏爱价值下面轧了雪崩光电二极管。我们也分析了每层......
本文报道采用液相外延（ＬＰＥ）生长和传统光刻制管工艺研制出引入多层（三层或三层以上）中间能带隙过渡的吸收区、倍增区分离的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰ雪崩光电二极管......
Advanced Photonix 公司已解决了制造大面积硅雪崩光电二极管(LAPD)的难题,包括将光电倍增管最好的特性与动态范围、柔性有效面几......
介绍了ｎ－ＩｎＰ／ｐ－ＩｎＧａＡｓＰ／０－ＩｎＰ结构的异质结光电三极管制作过程，并获得了对１．３μｍ的入射光，光增益达２２０，用带尾纤的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ发光管测量，光学增益达１４７０。
The fabrication proces......
美国宇航局最近给Advanced Photonix公司提供了一项数额为7万美元的1期小企业革新研究(SBIR)基金,这项基金将被用于研究该公司大......
用两套具有不同时间分辨率和激发方式的测量系统对菌紫质（BR）光循环动力学进行了泵浦一探测研究。一套是单次脉冲氙灯闪光诱导样品；另......
目前，随着船舶的巨型化，进坞方法已成严重问题。为此，国外研制了一种跟踪激光测距系统，该系统由两部分组成：上部分装在船坞上，另一部分装......
美国国家标准技术研究院的物理学家已发展一种用光参量下转换技术产生相关光子对来测量红外光谱绝对辐射度的方法，测量精度优于3％。......
对于光传感应用而言，波长达到或超过２μｍ的光电探测器是有益的。目前以砷化铟镓（ＩｎＧａＡｓ）为基础的探测器呈现很大暗电流，不适合雪崩光电二极管之......
