光致电阻变化相关论文
介绍了一种针对砷化镓集成电路（GaAs IC）金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构（如金属化互连、MIM结构、肖特......
本文通过射频磁控溅射法制备了La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)薄膜.该薄膜在接近峰值电阻温度Tp(Tp=308K)发生铁磁金属相-顺磁绝缘体相相变.......
介绍了一种针对集成电路氧化层失效的定位和分析技术。采用光发射显微镜、光致电阻变化技术,对比出电路中不同的发光机构或电阻变......
