兼容工艺相关论文
基于硅集成电路工艺，开展了单片集成压力传感器的研究，解决了深槽腐蚀、三维MEMS加工与IC加工兼容、弱信号电路设计技术难题，研制出单......
本文对PMOS-DYL 和NMOS-DYL 两种兼容工艺的多值逻辑电路进行了集成化设计和常规工艺投试的探索,并就有关工程化问题进行了讨论,指......
基于自主开发的SOI高低压兼容工艺，研究了低压NMOS和PMOS器件的ESD特性，分析了器件发生击穿和骤回的物理机制。结合理论分析和流......
基于自主开发的薄膜SOI CD高低压兼容工艺，成功研制一种64位输出、驱动电压80V、电流能力20mA、时钟频率大于40MHz的SOI基等离子显......
本文基于自主开发的SOI CD高低压兼容工艺,研制一种64位、工作电压80V、最大输出电流20mA的PDP驱动电路。主要对其逻辑控制电路的......
本文介绍了一种功率集成电路的器件和工艺设计,根据电路的功能要求,对比了PN结隔离和SOI介质隔离以及各种硅器件的特点,考虑了电路......
该文介绍了互补双极工艺的发展过程，提出了采用结隔离实现ＮＰＮ和ＰＮＰ的兼容，从器件和工艺上对兼容工艺中的ＮＰＮ和ＰＮＰ进行了优化设计，采用这种工艺制作......
作者对ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ及其兼容工艺进行了研究，在研究了一些关键的单项工艺的基础上，提出了五个高速ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ结构和一个低噪声ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ结构，并已初步研制成功台面结......
文中介绍了一种适合ＢＣＤ兼容工艺的集成ＶＤＭＯＳ器件，其版图布局采用漏、源叉指结构，着重分析了该结构的导通电阻模型及优化设计方法。实验结果证......
等离子平板显示器(PDP)作为新一代平板显示器具有广阔的应用市场，然而成本过高、销售价格太昂贵等因素限制了PDP目前难于走入寻常百......
我们对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个高速Si/SiGe/Si HBT结构和一个低......
在 Synopsys TCAD软件环境下 ,模拟实现了与 0 .5 μm标准 CMOS工艺兼容的高压 CMOS器件 ,其中NMOS耐压达到 10 8V,PMOS耐压达到 -......
本文提出了一种全新的ｎ－ＪＦＥＴ和ｎ－ｐ－ｎ兼容工艺，采用二次外延实现了ＪＦＥＴ和ｎ－ｐ－ｎ的隔离。介绍了工艺流程，并对工艺上第一外延的厚度和浓度、二次硼埋浓度以及......
