高压CMOS相关论文
设计出一种能与0.6 μm的标准低压CMOS工艺完全兼容的HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构,并提出了具体的工艺实现方法--单阱非外延......
提出适用于场发射高压驱动的高低压电平转换电路设计及性能分析。通过模拟，此电路可以在100V的驱动工作电压以及10mA的驱动电流条件......
设计出-种适合PDP选址驱动芯片的HV-NDMOS结构,分析了该结构的防穿通特性.提出了实现PDP选址驱动芯片的工艺流程及其基本参数;同时......
采用标准CMOS工艺设计出PDP(Plasma Display Panel)选址芯片,重点设计出一种高压结构-HV-CMOS(High Voltage CMOS)结构,采用单阱非......
研制了与0．5μm标准CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压CMOS器件．提出了具体的工艺制作流程—在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子......
介绍了一种与常规CMOS电路兼容的高压CMOS电路版图设计及工艺加工技术。在该技术中采用了非自对准的场区掺杂,增加场区掺杂浓度,轻......
在 Synopsys TCAD软件环境下 ,模拟实现了与 0 .5 μm标准 CMOS工艺兼容的高压 CMOS器件 ,其中NMOS耐压达到 10 8V,PMOS耐压达到 -......
