LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)作为一种在高压集成电路应用中性价比很高的功率器件,一直以来都以实现高耐压和低比导通电......

功率VDMOS器件现在被广泛的应用,其最主要性能参数击穿电压(BV)和比导通电阻(Ron,sp)是我们关注的重点。常规的功率VDMOS器件受到......

VDMOS(Vertical Double-diffused MOSFET)作为一种现阶段应用广泛的半导体器件,一直以来都以优化击穿电压(BV)和比导通电阻(Ron,sp......

随着便携设备的兴起、全球能源需求量的不断增长,如何提高资源的有效利用率将变得越来越重要。由于SOI-LDMOS功率器件具有速度快、......