LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)作为一种在高压集成电路应用中性价比很高的功率器件,一直以来都以实现高耐压和低比导通电......

从薄膜积累型(TF AM) SOI PMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发,对其在-5.0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较......

目前来说,世界上所广泛采用的水平井技术是一种可以应用于油气田开发摒弃可以有效提高开采效率的重要技术。因此可以有效提高油气......

在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流.通过求解二维泊松方程,为该器件建立了亚阈值条件......

针对土壤和地下水污染的清理,污染场地,主要是未开发的棕地,的风险评估一般可分为三个层次:第一层次为不基于场地特征的土壤和地下......

提出双层Halbach永磁电机的二维解析模型,模型中转子永磁包括内外两层,每层每极均由两块永磁构成,且每层中间磁块均为径向磁化。通......

近年来,GaN基高电子迁移率晶体管(GaN基HEMT)以其优异特性,在大功率、高温、高频、抗辐照等应用领域中备受人们关注。而场板技术的......