介绍了利用多模光纤同空间列阵半导体激光器实现有效耦合,再将光纤组合后输出的技术.对半导体激光器的发散角、多模光纤和半导体激......

利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs，100Hz)输......

报道了采用列阵半导体激光端面抽运Nd∶YVO4晶体的KTP腔内倍频绿光激光器.采用多柱透镜法,对列阵半导体激光进行了有效整形,并利用......

利用分子束外延生长方法生长出ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（５００μｓ，１００Ｈｚ）输出功率达到２７Ｗ（室温），峰值波长......