分子束外延相关论文
利用红外光传播距离长、抗干扰性好而实现的红外光电探测技术作为一种无源被动传感技术,在航空航天遥感、大气环境监测、医学监测......
采用固态源分子束外延系统（SSMBE），以四溴化碳（CBr4）作为碳掺杂源，研究基于碳掺杂InGaAs材料的InP双异质结双极晶体管（DHBT）分子束外延生长......
用深能级瞬态谱（DLTS）研究了分子束外延生长的高纯GaAs薄膜中的深能级.带金电极的高纯GaAs薄膜经不同温度的热退火,其DLTS峰谱的位置......
自石墨烯被发现和成功制备以来,众多具有优异的机械、电子和光学性能的二维材料受到了研究者们的广泛关注。其中,单元素二维材料的......
氧化锌（ZnO）是具有代表性的第三代半导体材料,具备激子束缚能高、带隙宽、单晶的生长技术成熟、抗辐射性能强、制备技术路线灵活并且......
自2004年石墨烯被成功制备后,二维材料引起了人们极大地关注,相应的研究也开展开来。与其同主族的硅烯、锗烯、锡烯也相继被制备出......
本文利用分子束外延法制备Bi系氧化物薄膜。通过使用自制的臭氧浓缩装置对臭氧进行浓缩,得到了可以满足MBE法制备Bi系薄膜的高浓度......
石墨烯的横空出世为人们打开了一扇全新的二维材料世界的大门,石墨烯具有一系列优良的电子性质,如有效质量为零的准粒子,可以实现......
过渡金属硅化物,包括CoSi2,MnSi,FeSi等,具有奇异的物理性质,包括超导、巡游弱铁磁、螺旋磁序、磁斯格明子、拓扑物态等,是凝聚态......
拓扑绝缘体是一类具有奇特物理性能的新型量子材料,其表面导电,体态绝缘,在拓扑量子计算和自旋电子器件领域具有重大的应用潜力。......
自量子霍尔效应发现以来,拓扑的概念被引入到了凝聚态物理领域。拓扑序的研究丰富了凝聚态物理理论,指引人们发现了许多新奇的量子......
自上世纪以来,高温超导材料作为未来极具应用前景的材料受到人们的广泛关注。但当前高温超导的物理机理仍然不清楚,有待进一步研究......
近年来量子点材料因具有独特的光电子性质而受到了广泛的关注和研究,In Ga As量子点更是因其优良的光学性能而被应用于半导体激光......
超高真空扫描隧道显微镜（Ultra-high vacuum scanning tunneling microscope,UHV STM）是研究半导体表面形貌结构的重要表征技术。它......
近年来,拓扑绝缘体已经成为自旋电子学领域的研究热点之一,其新颖独特的性质令其在自旋器件中有着重要的应用。与经典的金属和绝缘......
高温超导和拓扑超导是近年来凝聚态物理中的两个重要的前沿研究方向。铁基超导体是继铜氧化物超导体后的第二个非常规高温超导体家......
高性能、高分辨率、低成本的非制冷焦平面红外探测器是第三代红外探测技术的发展方向。大量理论研究表明,InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材......
低维材料有着不同于常规块体材料的新奇性质。现代半导体芯片已经可以达到10 nm以下工艺,以量子通信、量子计算等为标志的第四次工......
人们发现在分子束外延实验中，Pb原子在Si（111）表面上可以生长出形状非常规则的Pb岛，在一些称为“幻数高度”的值，岛特别稳定。类似的情......
对于拓扑态的研究是当前凝聚态领域的一大热点,由于体系强的自旋轨道耦合能带发生反转,且受时间反演对称保护,在边缘/表面处形成无......
面对摩尔定律失效的挑战,具有性能高、尺寸小、功耗低和成本低等优点的Si基光子技术是有望解决Si集成电路瓶颈的路径之一。其中Si......
近些年来,过渡金属氧化物一直是凝聚态物理和材料科学领域的研究热点,尤其是铜基氧化物中的高温超导现象因为广阔的未来应用前景而......
低维半导体纳米材料因其独特的量子效应与物理性质受到了广泛关注。其中,一维半导体Ge纳米线,因具备高的空穴迁移率、低的超精细相......
二维层状材料是近年来凝聚态物理研究的热点,不仅在各个应用领域表现出突出的性能,而且还展现出各种新奇的物理现象。具有类黑磷的......
红外辐射是自然界中大量存在的信号与能量,但却无法被人眼感知。而红外探测则是人类认识自然界的极其重要的武器,能扩展人类的视野......
自从2004年第一次被成功剥离以来,具有sp2杂化的蜂窝状格子的石墨烯引起了研究者广泛的兴趣。石墨烯本身具有优异的电学、机械以及......
氧化锌(ZnO)是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带的半导体材料,在室温下的带隙约为3.3 eV,激子束缚能高达60meV。ZnO具有良好的光电性、透明导电性、气......
非常规超导体的新奇物性及其机制一直是凝聚态物理学与材料研究的前沿问题。在本论文中,利用分子束外延（MBE）、氩离子刻蚀退火（IBA）和......
碲化钼,是一种典型的过渡金属硫族化合物材料,其中包括二维的MoTe2薄膜和一维的Mo6Te6纳米线。近年来,低维碲化钼材料因其独特的性......
半导体激光器因其体积小,波长可调节和可靠性高等优点,被广泛应用在大气监测、激光测距、空间通信、激光手术和激光美容等领域。其......
Ⅲ-Ⅴ族材料比Si具有更高的载流子迁移率和吸收系数,因此III-V族化合物半导体被广泛认为是新一代光电子器件取代Si更有前途的候选......
超薄半导体因其优异的性能近年来获得了飞速发展,已成为光电探测器的重要研究方向之一。为了扩展摩尔定律,研究人员在追求高性能,......
研究了 InGaAs外延材料在不同生长温度下的荧光特性.InGaAs的光荧光峰位随生长温度增加向高能方向偏移,荧光半高宽随生长温度的增......
作为宽禁带直接带隙半导体,Ⅲ族氮化物材料体系的禁带宽度覆盖了从紫外光波段到可见波段再到近红外波段,广泛应用于固态照明器件及......
为提升大面阵Ⅱ类超晶格红外探测器的性能、产量和材料质量,对3 in长波In As/GaSb Ⅱ类超晶格分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,......
在较低温度下实现平整ZnO薄膜的生长有利于ZnO的可控p型掺杂以及获得陡峭异质界面。本文使用分子束外延方法, 采用a面蓝宝石为衬底......
利用分子束外延技术(MBE)，在GaAs(001)衬底上自组织生长了不同结构的InAs量子点样品，并制备了量子点红外探测器件。利用原子力显微镜......
对As2和As4两种不同分子态下利用分子束外延技术(MBE)生长的单层AlGaAs薄膜和GaAs基InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器（QWIP）的性能进行......
红外焦平面探测器的光谱一致性是评价材料制备水平的重要参数之一。探测器材料因制备工艺的不同而存在差异。由于光谱仪光斑尺寸的......
用固源分子束外延技术(SSMBE)在GaAs(111)衬底上，采用不同的界面中断时间生长了多组AlGaAs/GaAs多量子阱样品(MQWs)，通过室温发光光......
本文首次报道室温下测量的分子束外延生长的ZnSe-ZnTe应变层超晶格的远红外反射谱.得到了ZnSe、ZnTe横光学声子摸.用长波长超晶格......
本文首次利用室温非共振喇曼后向散射测得具有7.3％晶格失配的ZnSe-ZnTe应变层超晶格限制在ZnSe层中的纵光学声子模。计算了限制效应......
利用分子束外延技术,基于控制快门开关顺序的生长中断法,在GaSb衬底上生长了10周期和20周期的InAs(10 monolayer, 10 ML)/GaSb(10 ......
