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双埋层SOI相关论文

基于平面矩形螺旋梁的低g值微惯性开关的研制

以弹性材料单晶硅为结构材料，研制了一种基于平面矩形螺旋梁的低g值（1g～30g）微惯性开关．根据材料力学中的卡氏定理和线弹性理论，推导得到......

期刊

低g值微惯性开关平面矩形螺旋梁卡氏定理双埋层SOI 微机电系统 low-g micro inertial switch planar rectangula

应用双埋层SOI工艺制备低g值微惯性开关

采用双埋层SOI（Silicon-On-Insulator）材料,结合KOH腐蚀工艺、电感耦合等离子体（ICP）刻蚀工艺、阳极键合以及喷雾式涂胶工艺,研制了一......

期刊

低g值微惯性开关双埋层SOI 等电位防粘连硅衬片

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