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可控基区底面空穴注入相关论文
具有可控基区底面空穴注入的新型二极管结构
本文提出了一种3.3kV可控基区底面空穴注入的新型二极管结构,简称CIBH(ControlledInjectionofBacksideHoles)二极管。新二极管结构......
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可控基区底面空穴注入
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CIBH(controlled injection of backside h
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