动态雪崩相关论文
沟槽栅FS IGBT（Field Stop Insulated Gate Bipolar Transistor）凭借导通饱和压降低、沟道密度高、栅极易驱动、正向阻断电压高等优......
绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（Silicon-On-Insulator Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,SOI-LIGBT）器件因其耐压能力......
Ga N器件具有工作频率高、输出功率大、开关损耗小等一系列优良特性,因此近年来得到越来越广泛的应用,与之配套的Ga N驱动芯片已成......
绝缘栅双极晶体管(IGBT)和集成门极换流晶闸管(IGCT)是目前性能优良且应用广泛的两种功率器件。随着器件电压等级的提升和电流容量......
动态雪崩是限制功率器件安全工作区(SOA)的关键因素。功率器件在过应力条件下关断时,由于内部自由载流子对电场的调制,动态雪崩发......
单片智能功率芯片因其低损耗与小体积等优势,广泛应用于各类电机驱动与电源应用中。绝缘体上硅型横向绝缘栅双极型晶体管(Silicon ......
针对高压快恢复二极管的动态雪崩问题进行了仿真分析,给出了典型的二极管动态雪崩瞬态图形,提出了一种改善器件动态雪崩耐量的新型......
IGBT关断时容易在过压、过流条件下出现动态雪崩电流丝化问题,若发展为二度动态雪崩则会把器件引入具有失效危险的工作区。本文利......
本文综述了高压IGBT的动态雪崩问题,涉及IGBT动态雪崩的概念、复杂性、失效机理和应对措施等。对这些问题的了解和掌握,对于设计制......
高压IGBT模块已广泛应用于电力电子技术领域。在实际运行中IGBT会发生各种故障,最常见的故障之一就是负载短路,这对器件本身甚至整......
综述了硅高压功率快恢复二极管抗动态雪崩技术的发展,包括快恢复二极管发生3种不同程度的动态雪崩的过程和原理,提高了快恢复二极......
动态雪崩是影响电力半导体器件可靠性的一个重要因素。随着近年来集成门极换流晶闸管(IGCT)的应用范围不断拓展,失效问题也越来越......
门极换流晶闸管(GCT)关断过程中的动态雪崩效应是导致其失效的关键因素。本文采用Sentaurus仿真软件对4 500V非对称GCT关断过程中......
动态雪崩问题是影响高压硅功率二极管如高压快恢复二极管(FRD)坚固性的一个主要因素。文中通过仿真计算,比较了高压FRD两种不同终......
快速软恢复二极管(Fast and soft recovery diode,FSRD)在实际电路中经常与主开关器件反并联使用,为其负载提供续流回路。随着主开......
在全球性的能源短缺和环境恶化问题日益突出的今天，以功率半导体器件为基础的现代电力电子技术在电力、输运、交通、照明、工业制造......
