退火效应相关论文
铁素体/奥氏体异种钢焊接接头是核电和火电装备中常见的接头形式。然而,由于此类异种钢焊接接头存在不均匀的材料组织和力学性能、......
本文用椭圆偏振光谱法研究了低温（７７Ｋ）、中等能量（１４７ｋｅＶ）、剂量分别为３×１０１３及４×１０１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２的ＢＦ２＋分子离子注人Ｓｉ的损伤及退火效应．根据样品椭圆偏振参数与Ｃ－Ｓｉ的比较确定......
针对始终处于加电状态工作模式的半导体激光器,通过分析单个粒子对器件的辐射过程,将空间辐射效应离散的描述为所有单粒子造成辐射......
锆钛酸铅薄膜材料因具有优异的铁电、压电、热释电等性能受到研究人员的广泛关注。以锆钛酸铅铁电薄膜为关键材料的传感器、存储器......
本文为研究1 MeV电子辐照倒置四结(IMM4J)太阳电池InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)关键子电池的退火效应,将辐照后的两种子电池在6......
系统研究了退火效应对飞秒激光脉冲驱动的基于钴铁硼/重金属异质结辐射太赫兹波的影响.通过对发射样品进行退火处理,在钨/钴铁硼结......
本文利用光照和暗条件下太阳电池电学特性的测量和数值模拟的方法,研究了带电粒子辐照下单结及三结GaAs太阳电池的电性能的变化规......
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本文通过地面模拟空间环境试验,研究了低能电子(60keV～150keV)辐照下航天器上实用的带盖片的GaAs/Ge太阳电池的辐照损伤效应。通过......
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半金属锰氧化物因其具有丰富的物理内涵和广泛的应用前景,吸引着众多科学家的注意。其中La2/3Sr1/3MnO3 (LSMO)是常见的半金属材料......
文章研究了CMOS器件(LC54HCO4RH)60Coγ射线的总剂量辐照实验以及辐照后在100℃温度场下的退火效应.实验发现,辐照后,器件在加温和......
用Raman散射技术分析了 1 71 .2MeVS9+和 1 2 0keV的H+离子在C60 薄膜中电子能损引起的效应 ,即晶态→非晶态转变 .在H+离子辐照的......
用Raman散射和XPS技术分析了能量为几百keV到几百MeV的多种离子在C60薄膜中引起的辐照效应. 分析结果表明,在低能重离子辐照的C60......
通过比较1 Mbit商用静态随机存储器(SRAM)在6种不同偏置条件下器件参数(静态和动态功耗电流)和功能参数(错误数)随辐射总剂量、退......
用 Ｒａｍａｎ（拉曼）散射技术分析了 １２０ｋｅＶ的 Ｈ， Ａｒ和 Ｆｅ离子在 Ｃ６０薄膜中引起的辐照效应，主要指由晶态向非晶态的转变．分析结果表明，在Ｆｅ和Ａｒ离子辐照的Ｃ６０薄膜中，核碰撞......
对ＶＯ２薄膜进行不同剂量的γ辐照处理，利用ＳＥＭ和ＸＰＳ对辐照前后的薄膜进行分析，发现γ辐照诱导Ｖ离子出现不同价态之间的转变现象，并且价态变化的程......
在用阻抗谱研究PbWO4 (PWO)晶体的介电特性时发现 ,掺La3+ 的PWO晶体中存在典型的介电弛豫现象 ,它被归因于La3+ 进入Pb位并与铅空......
利用能量为1.7Mev、注量在10^15∽2×10^16/cm2的电子辐照非晶Gd2 Zr2 O7粉体、晶态Gd2 Zr2 O7纳米粉体和晶态Gd2 Zr2 O7纳米......
对经过Co60不同剂量剂量率辐照的体硅MOS器件（NMOSFET与PMOSFET）分别进行了室温和高温下的退火实验,并对退火结果进行分析,讨论了退......
通过对PDSOI CMOS静态随机存储器（SRAM）在静态偏置条件下器件功耗电流和功能错误数随辐射总剂量、退火时间的变化规律,以及不同温度（2......
采用正电子湮没寿命谱方法，对1.6×10^16cm^-2注量的85MeV^19F离子辐照P型InP单晶的微观缺陷进行了研究，在300－1023K的温度范围内......
在环境温度和工作电流下,对808 nm高功率量子阱激光器进行老化实验,发现在老化过程中一些劣质器件电噪声谱密度呈下降趋势,产生退......
用慢正电子束探针测量了经剂量为5×1016cm-2的140keVHe+注入的Si(100)单晶S参数与正电子入射能量的关系,得到了注入产生缺陷......
本文以能量为1．0MeV的电子束辐照VOAB）薄膜，对电子辐照在薄膜中产生的缺陷进行了理论计算，使用X射线衍射仪、傅立叶中红外光谱仪对薄膜......
研究高能离子与C60晶体相互作用,是认识高能离子与凝聚态物理相互作用的基本规律和开发应用C60分子材料的基础,对实现C60分子掺杂......
流动式起重机分动箱内所用的齿轮可能会出现多种失效形式。对分动箱内齿轮出现的失效形式进行了研究和分析。以40CrMn齿轮为例,将4......
新发展起来的低能团簇束流淀积技术（ＬＥＣＢＤ）由于其尺寸可控，以及分布均一而引起人们的关注。利用该技术已制备了高质量的Ｓｂ，Ｂｉ薄膜，并发现了许多新......
基于60Coγ射线辐照后的商用电荷耦合器件（CCD）,对室温退火和100℃高温退火实验进行研究。考察了CCD的功耗电流、输出信号电压波形及......
对国产工艺的部分耗尽SOIMOSFET^60Coγ射线的总剂量辐照效应及其可靠性进行了研究。结果表明：辐照引入的氧化物陷阱电荷是阈值电压......
为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照......
利用傅立叶转换红外光谱和Raman谱仪分析了0．98GeV的Fe离子在电子能损Se为3．5keV／nm时，不同辐照剂量（5×10^10-8×10^13ions／cm^......
采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/buffer layer/IrMn/CoFe/Cu/CoFe/NiFe/Ta的IrMn底钉扎自旋阀.研究了N......
对国外某公司低功率、双输出型(DVHF2812DF、DVTR2815DF)DC/DC电源转换器60Coγ辐射损伤及退火效应进行了研究。探讨了器件在不同......
研究了不同辐射偏置条件下国产N沟VDMOS器件的总剂量辐射损伤及退火效应。探讨了阈值电压、击穿电压、漏电流、导通电阻等随累积剂......
碳化硅(SiC)具有高导热系数、高电子迁移率、高击穿场强和宽禁带的优势,利用SiC材料制成的器件在抗辐照上有着极大的潜力。目前商......
学位
对国内外近年来在磁性薄膜高频特性的研究进展进行了较为系统的总结。包括单层膜到多层膜的转变促进高频特性的改善；不同材料对（金属......
研究了双极晶体管不同温度下的退火效应，发现双极晶体管的退火与温度有关，而且不同类型晶体管的退火效应是有差异的，最后文章讨论了其......
研究了不同含氮量的类金刚石薄膜(DLC∶ N)的导电性能,发现随着氮含量的增加,薄膜的电导率增加较缓,当氮含量达到一定值(12.8at%)......
采用顶部籽晶提拉法成功生长出了Y1-xPrxBa2Cu3O7-δ（x=0．07215，0．23960）单晶样品。利用X射线结构分析技术对生成单晶进行了表征，通过对......
倒置生长赝形四结（IMM4J）太阳电池基于光谱匹配的设计原则采用了倒置外延生长晶格失配工艺手段,有效的减少了空间用晶格匹配正向生长......
对电离辐照环境中典型CMOS存储器的辐照效应进行了研究。分析了SRAM,EEPROM,FLASH ROM存储器在60Coγ射线辐照及辐照后不同退火过......
我们利用MOCVD设备在α-Al2O3衬底上生长了c轴取向的ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)对ZnO薄膜进行表征,研究了退火对......
本文用椭圆偏振光谱法研究了低温（７７Ｋ）、中等能量（１４７ｋｅＶ）、剂量分别为３×１０１３及４×１０１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２的ＢＦ２＋分子离子注人Ｓｉ的损伤及退火效应．根据样品椭圆偏振参数与Ｃ－Ｓｉ的比较确定......
2008年LaFeAsO1-xFx中26K超导电性的发现很快引起了一股研究的热潮。一方面,铜氧化物高温超导电性配对机制尚未明确,铁基高温超导......
以CdO和MoO3粉料为初始试剂,通过高温固相烧结合成CdMoO4多晶料,采用坩埚下降法生长出尺寸达Φ25mm×130mm的透明完整CdMoO4单晶;......
为了考核FPGA器件空间使用时的抗辐射能力,对Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤效应及退火效应进行了研究。通过......
研究电子辐照对发光二极管(Light emitting diode,LED)性能的影响。利用电子加速器提供的电子束模拟空间电子辐射环境,试验时电子......
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