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多晶硅剥离技术相关论文
多晶硅部分剥离技术对抗辐照VDMOS动态特性的影响
在考虑VDMOS器件的抗辐照特性时,为了总剂量辐照加固的需求,需要减薄氧化层的厚度,然而,从VDMOS器件的开关特性考虑,希望栅氧化层......
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VDMOS
抗辐照
多晶硅剥离技术
动态性能
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