大栅宽器件相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

大栅宽器件相关论文

SiC MESFET功率器件建模

碳化硅(SiC)材料是第三代的宽禁带半导体材料之一,它具有禁带宽、临界击穿电场高和饱和漂移速度高等优点,逐渐成为制造高频大功率,......

学位

碳化硅功率金属-半导体场效应管大信号模型符号定义器件大栅宽器件功率附加效率

大栅宽功率器件的分布性研究

随着器件工作频率的升高,以集总元件模型描述大栅宽功率器件引入的误差将越来越大,且这一趋势随着栅长的减小更加显著。对微波大栅......

期刊

微波功率FET 大栅宽器件非线性模型分布性传输线理论

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