符号定义器件相关论文
随着半导体与移动通信技术的飞速发展,高电子迁移率晶体管（HEMT）因其具有击穿电压高、高频性能优异以及耐高温等优点,被广泛地应用于......
介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,......
基于TOM直流I-V模型和Angelov非线性电容模型,该文建立了适合SiC MESFET的非线性模型,并利用符号定义器件（SDD）实现了在安捷伦ADS软......
碳化硅(SiC)材料是第三代的宽禁带半导体材料之一,它具有禁带宽、临界击穿电场高和饱和漂移速度高等优点,逐渐成为制造高频大功率,......
