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寻址驱动芯片相关论文
PDP驱动电路中高压NLDMOS设计
提出一种用于PDP驱动电路的SOI高压N型LDMOS器件结构,分析了SOI层浓度、厚度、漂移区长度等参数对器件击穿电压的影响。所设计......
会议
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中高压
器件结构
寻址驱动芯片
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击穿电压
漂移区
彩色AC-PDP寻址驱动芯片的研究
本文主要分析寻址驱动芯片μ PD16327的电路功能,并用MEDICI软件对其高压管进行耐压仿真,实验结果证明耐压符合要求.......
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高压二极管
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